AP過去問 令和5年度春期 午前 問11
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問11(問題文)
フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として、適切なものはどれか。
ア 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。
イ 記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録する。
ウ 不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
エ ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込む。
回答・解説
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