「AP過去問 令和6年度秋期 午前 問24」の版間の差分
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マイクロプロセッサの耐タンパ性を向上させる手法として、適切なものはどれか。 | |||
ア ESD(Electrostatic Discharge)に対する耐性を強化する。 | |||
イ チップ検査終了後に検査用パッドを残しておく。 | |||
ウ チップ内部を物理的に解析しようとすると、内部回路が破壊されるようにする。 | |||
エ 内部メモリを物理アドレスに合わせて整然と配置する。 | |||
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耐タンパ性とは耐tamper-resistant性のことで、物理的に開けたり、変更したりすることが難しい、またはできないように設計されたものを指します。 | |||
アのESD(静電気放電)への耐性を強化するのは信頼性の面では重要ですが、耐タンパ性には関与しません。間違いです。 | |||
イは逆に解析されやすくなります。間違いです。 | |||
ウは正しいです。 | |||
エは関係ないです。メモリマッピングやメモリ配置最適化などの説明です。 | |||
したがって | |||
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ウ</span> | |||
が答えです。 | |||
2024年11月27日 (水) 22:01時点における最新版
問24(問題文)
マイクロプロセッサの耐タンパ性を向上させる手法として、適切なものはどれか。
ア ESD(Electrostatic Discharge)に対する耐性を強化する。
イ チップ検査終了後に検査用パッドを残しておく。
ウ チップ内部を物理的に解析しようとすると、内部回路が破壊されるようにする。
エ 内部メモリを物理アドレスに合わせて整然と配置する。
回答・解説
耐タンパ性とは耐tamper-resistant性のことで、物理的に開けたり、変更したりすることが難しい、またはできないように設計されたものを指します。
アのESD(静電気放電)への耐性を強化するのは信頼性の面では重要ですが、耐タンパ性には関与しません。間違いです。
イは逆に解析されやすくなります。間違いです。
ウは正しいです。
エは関係ないです。メモリマッピングやメモリ配置最適化などの説明です。
したがって
ウ
が答えです。